晶體生長(zhǎng)過(guò)程的德國(guó)DIAS紅外測(cè)溫儀應(yīng)用

規(guī)格：DG42N, DS42N, DG40N, DS40N, DG44, DS44N

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晶體生長(zhǎng)過(guò)程的德國(guó)DIAS紅外測(cè)溫儀應(yīng)用

產(chǎn)品詳細(xì)描述

 晶體生長(zhǎng)過(guò)程的德國(guó)DIAS紅外測(cè)溫儀應(yīng)用

單晶硅爐常使用型號(hào)

1、二線制紅外測(cè)溫儀DG42N(350~1800°C)

2、二線制紅外測(cè)溫儀DS42N(600~2500°C)

3、二線制紅外測(cè)溫儀DG40N(350~1800°C)

4、二線制紅外測(cè)溫儀DS40N(600~2500°C)

5、四線制紅外測(cè)溫儀DG44N(350~1800°C)

6、四線制紅外測(cè)溫儀DS44N(600~2500°C)

多晶硅爐常使用雙色紅外測(cè)溫儀

1、低價(jià)格雙色紅外測(cè)溫儀DSR44N(700~1800°C)

2、中價(jià)格雙色紅外測(cè)溫儀DSR54N(700~1800°C)

3、中價(jià)格雙色紅外測(cè)溫儀DSR56N(700~1800°C)

4、高精度雙色紅外測(cè)溫儀DSR10N(700~1800°C)

測(cè)量空間有限時(shí)，推薦使用光纖紅外測(cè)溫儀

1、二線制紅外測(cè)溫儀DSF40N(600~1800°C)

2、二線制紅外測(cè)溫儀DGF40N(350~1800°C)

3、四線制紅外測(cè)溫儀DSF44N(600~1800°C)

4、四線制紅外測(cè)溫儀DGF44N(350~1800°C)

簡(jiǎn)述

太陽(yáng)能行業(yè)的晶圓生產(chǎn)需要用到單晶硅或多晶硅，是在所謂的晶體生長(zhǎng)爐，即單晶硅爐或多晶硅爐拉晶生長(zhǎng)的。

這種從爐內(nèi)生長(zhǎng)的單晶或多晶硅，是要從結(jié)晶爐(即單晶硅爐或多晶硅爐)熔液慢慢冷卻生長(zhǎng)出來(lái)的。測(cè)量這種過(guò)程的結(jié)晶熔液的溫度很重要，同樣控制這個(gè)結(jié)晶過(guò)程的加熱元件的溫度也很重要。這兩種溫度必須要協(xié)調(diào)好，才能確保最優(yōu)的晶體生長(zhǎng)過(guò)程。

太陽(yáng)能單晶爐可使用的DIAS紅外測(cè)溫儀有10、40、44、54、56這些系列，都可以用來(lái)測(cè)量晶體生長(zhǎng)的熔化溫度，性價(jià)比較高的40、42、44系列型號(hào)有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均為短波紅外測(cè)溫儀，測(cè)溫范圍800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。

多晶硅爐也可使用雙色紅外測(cè)溫儀DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通過(guò)總線連接到現(xiàn)有控制系統(tǒng)。

在測(cè)量空間有限時(shí)，推薦使用光纖電纜和小光纖探頭的光纖紅外測(cè)溫儀；低價(jià)格型號(hào)有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，最小的光纖探頭的光圈為12mm，測(cè)溫范圍可以選600~1800°C。另外，可以選擇90°鏡像附件或彎曲的光纖電纜。測(cè)量光斑僅僅幾個(gè)毫米。

不管是哪一種測(cè)量任務(wù)，都可以選擇好合適的紅外測(cè)溫儀參數(shù)，獲得最優(yōu)的效果，觀測(cè)和控制獲得最佳的晶體生長(zhǎng)。

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