光譜分析用線性紅外陣列128LTMIx ，256LTMIx
規(guī)格：128LTMIx ，256LTMIx
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光譜分析用線性紅外陣列128LTMIx ，256LTMIx
產(chǎn)品詳細(xì)描述
焦熱電線性陣列LTMIx系列專門設(shè)計用于紅外光譜分析。該陣列包含一個128或256個像素的鉭酸鋰芯片，經(jīng)過這些像素元件處理產(chǎn)生的信號在一個CMOS電路中進行處理，信號處理由模擬電路進行，該模擬電路包含一個對每個像素進行調(diào)制的低噪聲前置放大器、一個多路器、一個輸出放大器。焦熱電芯片和CMOS讀出電路位于一個厚薄膜基片上，這些全部安裝在密封金屬外殼內(nèi)。入射的輻射通過一個窗口或一個濾光片，達到敏感元件。該窗口或濾光片對紅外波長是透明的。要測量探測器的溫度，內(nèi)置了一個AD590傳感器，提供和探測器溫度成正比的輸出電流。
和其它焦熱電探測器一樣，進入的紅外輻射能量需要調(diào)制，才能進行測量。
離子束蝕刻焦熱電探測器芯片及約5微米厚度確保更高的響應(yīng)率和低噪聲等效功率NEP。附加的金屬黑色涂層 (型號命名中的M)可以實現(xiàn)高效均勻的光譜吸收。帶離子束蝕刻熱隔離槽的探測器芯片(型號命名中的SL)允許可以使用低調(diào)制頻率，最低到10Hz，都有優(yōu)異的信噪比。
型號和性能
1、像素為128系列的型號及特征(調(diào)制頻率128Hz)
| 像素128系列型號和特征 (調(diào)制頻率128 Hz) | |||||
| 型號 | 128LTMI SP0.5 | 128LTMI SP0.5 V3 | 128LTMI SL SP0.5 | 128LTMI SL SP0.5V3 | 128LTMISP1.0 |
| 像素 | 128 | 128 | 128 | 128 | 128 |
| 像元寬度µm | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 |
| 像元長度µm | 500 | 500 | 500 | 500 | 1000 |
| 像元間距µm | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 |
| 光電性能1 | |||||
| 響應(yīng)率 SV (10³V/W) | 620 | 1900 | 620 | 1900 | 620 |
| 噪聲電壓 UN (mV) | 1.2 | 3.2 | 1.2 | 3.2 | 1.9 |
| 信噪比NEP (nW) | 1.9 | 1.7 | 1.9 | 1.7 | 3.0 |
| 調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm) | 0.6 | 0.6 | 0.8 | 0.8 | 0.6 |
| SV一致性 (%) | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
2、像素為256系列的型號及特征(調(diào)制頻率128Hz)
| 像素256系列型號和特征 (調(diào)制頻率128 Hz) | ||||||
| 型號 | 256LTMI SP0.5 | 256LTMI SP0.5 V3 | 256LTMI SL SP0.5 | 256LTMI SL SP0.5V3 | 256LTMI SP 1.0 | 256LTMI SP1.0 V3 |
| 像素 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 |
| 像元寬度µm | 42 | 42 | 42 | 42 | 42 | 42 |
| 像元長度µm | 500 | 500 | 500 | 500 | 1000 | 1000 |
| 像元間距µm | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 | 50 |
| 光電性能1 | ||||||
| 響應(yīng)率 SV (10³V/W) | 710 | 2100 | 710 | 2100 | 710 | 2100 |
| 噪聲電壓 UN (mV) | 0.9 | 2.2 | 0.9 | 2.2 | 1.1 | 3 |
| 信噪比NEP (nW) | 1.2 | 1.0 | 1.2 | 1.0 | 1.6 | 1.4 |
| 調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm) | 0.6 | 0.6 | 0.8 | 0.8 | 0.6 | 0.6 |
| SV一致性 (%) | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
3、型號及特征(調(diào)制頻率10Hz)
| 型號和特征 (調(diào)制頻率 10 Hz) | ||||
| 型號 | 128LTMI SL SP0.5 | 128LTMI SL SP0.5V3 | 256LTMI SL SP0.5 | 256LTMI SLSP0.5V |
| 像素 | 128 | 128 | 256 | 256 |
| 像元寬度µm | 90 | 90 | 42 | 42 |
| 像元長度µm | 500 | 500 | 500 | 500 |
| 像元間距µm | 100 | 100 | 50 | 50 |
| 光電性能 | ||||
| 響應(yīng)率 SV (10³V/W) | 8000 | 24000 | 9100 | 27000 |
| 噪聲電壓 UN (mV) | 1.2 | 3.2 | 0.9 | 2.2 |
| 信噪比NEP (nW) | 0.15 | 0.13 | 0.10 | 0.08 |
| 調(diào)制傳遞函數(shù)MTF (R=3lp/mm) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 |
| SV一致性 (%) | 5 | 5 | 5 | 5 |
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上個產(chǎn)品：半導(dǎo)體硅片測溫專用型DY10P , 300~1300°C ，3.43μm
下個產(chǎn)品：DCUIoP以太網(wǎng)接口箱 ， 可將DIAS的紅外測溫儀連接到以太網(wǎng)
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